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真空溅射钽靶材纯度检测标准

2025-03-06
核心标准

YS/T 1024-2015:钽纯度 ≥ 99.95%(3N95),杂质总和 ≤ 0.01%(W/Mo/Nb),氧 ≤ 0.05%。

SEMI F20-0706E(半导体级):钽纯度 ≥ 99.998%(4N8),W/Mo/Nb 总和 ≤ 0.4ppm,氧 ≤ 600ppm。

检测方法
主元素:X 射线荧光光谱法(XRF)或重量法。

杂质:

难熔金属(W/Mo/Nb):ICP-MS 或 GD-MS(ppb 级精度)。

气体杂质(O/N/H):氧氮分析仪或惰气熔融法。


物理性能:密度(接近 16.68g/cm³)、晶粒尺寸(≤50μm)、表面粗糙度(Ra≤0.8μm)。

应用场景差异

半导体:4N8 + 纯度,痕量杂质严格控制(如 W≤0.1ppm)。

光学 / 工业:3N5~4N,侧重表面质量与稳定性。

检测机构

第三方:SGS、国家有色金属测试中心(ISO 17025 认证)。

行业认证:SEMI 标准需通过半导体协会认证。

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