采用电子束光刻（分辨率 50nm）+ 原子层沉积（ALD）制备 Nb/AlOx/Nb 约瑟夫森结，通过优化氧化层厚度（1.5nm）和低温退火（200℃/1 小时），相干时间从 200 微秒提升至 800 微秒，用于 IBM 量子计算机芯片。
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