动态再结晶控制：800℃处于铌的再结晶温度区间，轧制时通过动态再结晶（应变速率 0.1-1s⁻¹）使原始粗大晶粒（直径＞100μm）破碎为等轴细晶（直径 10-20μm）；
道次压下率优化：单道次压下率控制在 15%-25%，避免压下率过低（＜10%）导致变形能不足，或过高（＞30%）引发加工硬化；
轧后冷却速率：轧后空冷（冷却速率 5-10℃/s）可抑制晶粒二次长大，若需更高强度，可采用水冷（冷却速率＞50℃/s）保留位错密度。
通过该工艺，60mm 厚铌板的晶粒度可达 ASTM 6 级（晶粒直径 40-50μm），满足高压容器板材的强度要求（室温 σb≥280MPa）。
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